HLW20A1Z10K00JF

HLW20A1Z10K00JF datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

HLW20A1Z10K00JF datasheet

Маркировка

HLW20A1Z10K00JF
Производитель

Dale Electronics
Описание

Vishay Intertechnology HLW20A1Z10K00JF Dielectric Strength: 1000 VoltsAC Dimensions: 2.38 mm Dia. x 50.8 mm L Lead Free Status / Rohs Status: No No. Of Pins: 2 Operating Temperature Range: - 55 C to + 350 C Power Rating: 20W Product: Power Resistors Wire Wound Silicon Coated Resistance: 10kohm Resistance Tolerance: ?‚?± 5% Resistor Case Style: Axial Leaded Resistor Element Material: Ceramic Series: HLW Temperature Coefficient: ?‚?± 30ppm/?‚?°C Tolerance: 5 % Type: Wirewound Resistors, Industrial Power, Tubular
Количество страниц

3 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet HLW20A1Z10K00JF.pdf
Файл формата Pdf 134,36 KB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Где можно купить

HLW20A1Z10K00JFОнлайн Компоненты

HLW20A1Z10K00JFЭИК

HLW20A1Z10K00JFТМ Электроникс

Разместить объявление

Новости электроники

<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>

Беспроводные MCU ST — оптимальное решение для эффективного промышленного мониторинга

25.05.2024

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Еще новости

Электрофорум - Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.

Электрофорум

Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.

electroforum.su

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.